产业破局！国产光刻机28nm实现90%国产化，实现出口50台！

前日分享了国产半导体设备最新国产化率的情况，对于国产刻蚀机推进到3nm大家群情激奋；详见：半导体设备国产化率13.6%，刻蚀推进到3nm，大多至14nm、7nm！但有不少网友问飙叔国产光刻机的具体进展，因而今天聊聊2024年国产光刻机及其上下游的情况。

在全球半导体产业竞争日益激烈的背景下，光刻机作为芯片制造的核心设备，长期被荷兰ASML、日本尼康等企业垄断。近年来，中国在光刻机领域持续突破技术壁垒，2024年更成为国产化进程的关键转折点。从65nm ArF光刻机到90nm国产化设备量产，中国正逐步打破西方技术封锁，重塑半导体产业链格局。

一、从65nm到90nm的国产化跨越

2024年9月9日，工信部发布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》显示，中国的氟化氩光刻机，光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。这一成果意味着中国在光刻机技术上取得了显著进步，虽然不能直接理解为可以制造8nm芯片，但该光刻机通过多重曝光技术理论上能支持更先进制程芯片的制造，如14nm或7nm芯片。

这意味着中国首次在高端光刻机领域实现自主技术突破，挑战ASML在浸没式光刻机（如NXT:2000i）的垄断地位。有助于形成完整的产业生态，帮助中国半导体行业在全球科技竞争中赢更多话语得权和市场份额。

与此同时，上海微电子（SMEE）宣布成功研制出90纳米光刻机，关键部件（光源、光学系统、双工件台）实现100%国产化，售价约4.5亿元人民币，较进口同类设备低40%（SMEE公告，2024）。

该设备已进入量产阶段，计划2025年量产100台，并获长江存储、合肥长鑫等5家企业超50台订单。此举标志着中国在前道光刻机领域迈出实质性一步，为成熟制程芯片的自主可控奠定基础。

二、28nm，实现90%国产可控

光刻机的国产化不仅是单一设备的成功，更是整个产业链协同攻坚的成果。据中国半导体行业协会统计，2024年国产光刻机零部件自主化率已提升至70%以上（CSIA，2024）。

同时，根据产业链消息表示，国产28纳米光刻机也将在实现90%零部件自主可控基础上量产。在光刻机产业链中核心环节，如光学系统、光源、精密机械等领域获得显著进展。具体如下：

光源系统：科益虹源的ArF光源实现稳定输出功率60W，接近ASML的80W水平（《中国激光》期刊，2024）。光学镜头：长春光机所研制的物镜系统数值孔径（NA）达0.75，可满足65nm光刻需求（长春光机所年报，2024）。双工件台：华卓精科的双工件台定位精度达1.7nm，较2022年提升30%（华卓精科技术白皮书，2024）。

此外，国产光刻胶、掩膜版等配套材料同步突破。南大光电的ArF光刻胶通过中芯国际验证，可支持28nm制程（南大光电公告，2024）；清溢光电的掩膜版良率提升至90%，打破美国Photronics垄断（清溢光电财报，2024）。

这意味着，在光刻机配套上下游企业的密切配合之下，国产光刻机产业链正全面突围，初步形成国产“光刻机-材料-制造”的闭环生态。

三、国产替代正在加速

国产光刻机的突破直接推动半导体制造国产化进程，最为直接的体现就是国产晶圆代工厂商设备国产化率的快速提升。

如根据2024年中芯国际投资者会议透露，2024年中芯国际宣布其28nm产能国产设备占比超50%，90nm产线国产化率已达80%。同时，根据2024年长江存储技术峰会透露，长江存储2024年利用国产光刻机将3D NAND层数提升至232层，良率突破90%。

另外令人欣喜的是，国产光刻机不仅站稳国内市场，而且逐步打入国际市场。根据集邦咨询，国产90nm光刻机售价仅为ASML同类设备的60%，维护成本降低50%。这一优势吸引俄罗斯、东南亚等新兴市场订单。根据中国机电产品进出口商会相关数据，2024年中国光刻机出口量同比增长120%，首次突破50台。

因此，中国光刻机产业的突破，不仅是技术层面的胜利，更是全球半导体权力结构变革的缩影。从65nm ArF光刻机到90nm量产设备，每一步进展都在改写“卡脖子”清单。